Транзистор TTK101MFV-B

TTK101MFV-B - Транзистор полевой JFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: VESM

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.15 Вт
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
• Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.35 мА
• Напряжение отсечки, Vgs(off): 1 В
• Ток утечки затвора, Igss: -
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1.8 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц

Транзистор TTK101MFV-B можно заменить на:

Нет элементов для замены