Справочник электронных компонентов
Поиск MOSFET-транзисторов по параметрам
Характеристики полевых MOSFET-транзисторов для поиска:
Название:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd, Вт:
от
до
Максимальное напряжение сток-исток, Vds, В:
от
до
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs, В:
от
до
Пороговое напряжение включения, Vgs(th), В:
от
до
Максимальный постоянный ток стока, Id, А:
от
до
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds, Ом:
от
до
Общий заряд затвора, Qg, нКл:
от
до
Время нарастания импульса открытия, Tr, нС:
от
до
Входная емкость (затвор-исток), Ci, пФ:
от
до
Максимальная рабочая температура канала, Tj, гр.Ц:
от
до
Структура:
N-channel
P-channel
Тип исполнения:
SMD
PTH
Модули
Диск
Болт
Всего
36786
найдено:
< назад
страница
376
из
368
вперед >
НАЗВАНИЕ
ТИП
СТР.
Pd, Вт
Vds, В
Vgs, В
Vgsth, В
Id, А
Rds, Ом
Qg, нКл
Tr, нС
Ci, пФ
Tj, гр.Ц
КОРПУС
< назад
страница
376
из
368
вперед >
≡
Главная
Все компоненты:
Поиск по названию
Поиск по SMD-коду
Поиск Диодов:
Диоды кремниевые стандартные
Сборки диодов кремниевых стандартных
Диоды быстрые
Сборки диодов быстрых
Диоды с барьером Шоттки
Сборки диодов Шоттки
Диоды германиевые
СВЧ и PIN-Диоды
Сборки СВЧ и PIN-Диодов
Поиск Транзисторов:
Транзисторы биполярные кремниевые
Транзисторы биполярные германиевые
Транзисторы полевые JFET
Транзисторы полевые MOSFET
Поиск Тиристоров:
Тринисторы
Тиристорные сборки
Симисторы (Триаки)