Транзистор 2N25
2N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
- Корпус: TO-251,TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 11.2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2N25 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD50R1K4CE |
SMD |
N |
25 |
500 |
20 |
3.5 |
3.1 |
1.4 |
- |
6 |
11 |
150 |
TO-252 |
| IPD50R2K0CE |
SMD |
N |
22 |
500 |
20 |
3.5 |
2.4 |
2 |
- |
5 |
9 |
150 |
TO-252 |
| IPU50R1K4CE |
PTH |
N |
25 |
500 |
20 |
3.5 |
3.1 |
1.4 |
- |
6 |
11 |
150 |
TO-251 |
| IPU50R2K0CE |
PTH |
N |
22 |
500 |
20 |
3.5 |
2.4 |
2 |
- |
5 |
9 |
150 |
TO-251 |