Транзистор 2N6760
2N6760 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 40 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2N6760 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N6760JAN |
PTH |
N |
75 |
400 |
40 |
4 |
5.5 |
1 |
30 |
35 |
300 |
150 |
TO-3 |
| 2N6760JANTX |
PTH |
N |
75 |
400 |
40 |
4 |
5.5 |
1 |
30 |
35 |
300 |
150 |
TO-3 |
| 2N6760JANTXV |
PTH |
N |
75 |
400 |
40 |
4 |
5.5 |
1 |
30 |
35 |
300 |
150 |
TO-3 |