Справочник электронных компонентов

Транзистор 2N6851

2N6851 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-39

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 34.8 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2N6851 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6806	PTH	P	75	200	20	-	6.5	0.8	31	100	200	150	TO-3
IRF9630PBF	PTH	P	74	200	20	4	6.5	0.8	29	27	200	150	TO-220AB
IRF9630SPBF	SMD	P	74	200	20	4	6.5	0.8	29	27	200	150	TO-263
IRFY9230	PTH	P	75	200	20	4	6.5	0.8	31	100	200	150	TO-257AA
SIHF9630	PTH	P	74	200	20	4	6.5	0.8	29	27	200	150	TO-220AB
SIHF9630S	SMD	P	74	200	20	4	6.5	0.8	29	27	200	150	TO-263
SIHFI9630G	PTH	P	35	200	20	4	4.3	0.8	29	27	200	150	TO-220FP