Транзистор 2N7002BKM

2N7002BKM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-883

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.36 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.45 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.6 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2N7002BKM можно заменить на:

Нет элементов для замены