2N7002H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: H7H
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.37 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 26 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2N7002H можно заменить на:
Нет элементов для замены