Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ328-Z

2SJ328-Z - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 85 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 180 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ328-Z можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB411L	SMD	P	187	60	20	2.5	78	0.0165	40	20	483	175	TO-263
AP9571GP-HF	PTH	P	250	60	20	-	105	0.0125	63	54	940	150	TO-220
AP9571GS-HF	SMD	P	250	60	20	-	105	0.0125	63	54	940	150	TO-263
AP9579GH-HF	SMD	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-252
AP9579GJ-HF	PTH	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-251
AP9579GP-HF	PTH	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-220
AP9579GS-HF	SMD	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-263
AP9581GP-HF	PTH	P	250	80	20	-	95	0.015	72	60	900	150	TO-220
AP9581GS-HF	SMD	P	250	80	20	-	95	0.015	72	60	900	150	TO-263
QM6015B	SMD	P	86.8	60	20	2.5	45	0.025	25	23.6	224	150	TO-263