Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ358C

2SJ358C - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SC-84

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.143 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ358C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM7367P	SMD	P	3.5	60	20	1	5.4	0.082	10	5	84	150	DFN3X3-8L
AO4441	SMD	P	3.1	60	20	3	4	0.1	-	3.8	85	150	SO-8
AP9575GM	SMD	P	2.5	60	25	-	4	0.09	-	5	115	150	SO-8
AP9575GM-HF	SMD	P	2.5	60	25	3	4	0.09	-	5	115	150	SO-8
AP9576GM	SMD	P	2.5	60	25	3	4	0.09	-	5	120	150	SO-8
AP9576GM-HF	SMD	P	2.5	60	25	3	4	0.09	-	5	120	150	SO-8
CEM6601	SMD	P	2.5	60	20	-	4	0.086	-	4	95	150	SO-8
CEM6861	SMD	P	2.5	60	20	-	3.5	0.125	-	4	65	150	SO-8
CET6601	SMD	P	3	60	20	-	4.3	0.086	-	4	95	150	SOT-223
CET6861	SMD	P	3	60	20	-	3.5	0.13	-	5	80	150	SOT-223
CHM6861JGP	SMD	P	2.5	60	20	3	3.5	0.125	11	4	85	150	SO-8
ZXMP6A16KTC	SMD	P	9.76	60	20	1	8.2	0.085	-	4.1	83	150	DPAK
ZXMP6A17KTC	SMD	P	9.25	60	20	1	6.6	0.125	-	3.4	70	150	TO-252