Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ412

2SJ412 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор 2SJ412 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CEB20P10 SMD P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-263
CED20P10 PTH P 75 100 20 - 16 0.13 30 16 210 175 TO-251
CEP20P10 PTH P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-220
CEU20P10 SMD P 75 100 20 - 16 0.13 30 16 210 175 TO-252
FQA17P10 PTH P 120 100 30 4 18 0.19 30 200 310 175 TO-3P
FQA22P10 PTH P 150 100 30 4 24 0.125 40 170 460 175 TO-3PN
FQAF22P10 PTH P 70 100 30 4 16.6 0.125 40 170 460 175 TO-3PF
FQB17P10TM SMD P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 200 310 175 D2PAK
FQB22P10 SMD P 125 100 30 - 22 0.125 40 - - 175 TO-263
FQB22P10TM SMD P 125 100 30 4 22 0.125 40 170 460 175 D2PAK
FQB22P10TM_F085 SMD P 125 100 30 - 22 0.125 40 - - 175 TO-263
FQP17P10 PTH P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 - - 175 TO-220
FQP22P10 PTH P 125 100 30 4 22 0.125 40 170 460 175 TO-220
IRF6218 PTH P 250 150 20 - 27 0.15 21 - - - TO-220AB
IXTA18P10T SMD P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-263
IXTP18P10T PTH P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-220
IXTY18P10T SMD P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-252
MTB050P10E3 PTH P 200 100 20 - 40 0.046 45 16.4 227 175 TO-220
MTB050P10F3 SMD P 200 100 20 - 40 0.046 45 16.4 227 175 TO-263
SFH9140 PTH P 166 100 - - 19 0.2 43 - 1180 150 TO-3P
SFP9540 PTH P 132 100 30 4 17 0.2 43 - 1180 150 TO-220
SUM25P10-138 SMD P 88.2 100 20 4 16.7 0.138 40 12 105 175 TO-263
SUP25P10-138 PTH P 73.5 100 20 4 16.3 0.138 40 12 105 150 TO-220AB