Транзистор 2SJ501

2SJ501 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: CP
• SMD-код: EM

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ501 можно заменить на:

Нет элементов для замены