Транзистор 2SJ563
2SJ563 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PCP
- SMD-код: JO
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.55 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SJ563 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM3009S |
SMD |
P |
2.1 |
30 |
20 |
2.5 |
3.5 |
0.125 |
3.3 |
6.7 |
42 |
150 |
SOP-8 |
| QM6007K |
SMD |
P |
1.6 |
60 |
20 |
2.5 |
2.2 |
0.175 |
4.59 |
5.4 |
59 |
150 |
TO-252 |
| QM6007S |
SMD |
P |
2.1 |
60 |
20 |
2.5 |
2.5 |
0.17 |
4.59 |
5.4 |
59 |
150 |
SOP-8 |
| SQ2303ES |
SMD |
P |
1.9 |
30 |
20 |
2.5 |
2.5 |
0.17 |
4.5 |
8 |
40 |
175 |
TO-236 |