Транзистор 2SJ580

2SJ580 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PCP
• SMD-код: JR

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.56 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 9.8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ580 можно заменить на:

Нет элементов для замены