Транзистор 2SJ599
2SJ599 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SJ599 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB60P06E3 |
PTH |
P |
50 |
60 |
20 |
- |
20 |
0.057 |
- |
8 |
72 |
150 |
TO-220AB |
| SM6104PSF |
PTH |
P |
54 |
60 |
25 |
- |
24 |
0.045 |
- |
6 |
150 |
150 |
TO-220 |
| SM6107PSU |
SMD |
P |
54 |
60 |
20 |
- |
26 |
0.04 |
- |
9 |
142 |
150 |
TO-252 |