Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ652-1E

2SJ652-1E - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.038 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 210 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 470 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ652-1E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9579GH-HF	SMD	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-252
AP9579GJ-HF	PTH	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-251
AP9579GP-HF	PTH	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-220
AP9579GS-HF	SMD	P	89.3	60	20	-	45	0.025	45	38	375	150	TO-263
QM6015B	SMD	P	86.8	60	20	2.5	45	0.025	25	23.6	224	150	TO-263
QM6015D	SMD	P	52.1	60	20	2.5	35	0.025	25	23.6	224	150	TO-252
ST36N06	PTH	P	62.5	60	20	3	36	0.037	20	25	160	175	TO-220
STD35P6LLF6	SMD	P	70	60	20	2.5	35	0.028	30	39	262	175	DPAK