Транзистор 2SJ655
2SJ655 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220ML
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.136 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 95 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 155 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SJ655 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB110P10E3 |
PTH |
P |
140 |
100 |
20 |
- |
23 |
0.08 |
- |
18.2 |
104 |
175 |
TO-220 |
| MTB110P10F3 |
SMD |
P |
140 |
100 |
20 |
- |
23 |
0.08 |
- |
18.2 |
104 |
175 |
TO-263 |
| MTB110P10J3 |
SMD |
P |
50 |
100 |
20 |
- |
14 |
0.079 |
- |
17.2 |
104 |
175 |
TO-252 |