Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ656

2SJ656 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220ML

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0755 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 74 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ656 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
ATP301	SMD	P	70	100	20	-	28	0.057	73	-	-	150	ATPAK
CEB35P10	SMD	P	125	100	20	-	32	0.076	74	7	335	175	TO-263
CEP35P10	PTH	P	125	100	20	-	32	0.076	74	7	335	175	TO-220
IXTA52P10P	SMD	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-263
IXTH52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-247
IXTP52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-220
IXTQ52P10P	PTH	P	300	100	20	4.5	52	0.05	60	120	-	150	TO-3P
MTB050P10E3	PTH	P	200	100	20	-	40	0.046	45	16.4	227	175	TO-220
MTB050P10F3	SMD	P	200	100	20	-	40	0.046	45	16.4	227	175	TO-263
RSJ250P10	SMD	P	50	100	20	-	25	0.045	60	67	300	150	D2PAK