Транзистор 2SJ661-DL-E

2SJ661-DL-E - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 285 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 470 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ661-DL-E можно заменить на:

Нет элементов для замены