Транзистор 2SJ683
2SJ683 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-323F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 290 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 620 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SJ683 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SUM110P06-08L |
SMD |
P |
272 |
60 |
20 |
3 |
110 |
0.008 |
160 |
190 |
975 |
175 |
TO-263 |
| SUP90P06-09L |
PTH |
P |
250 |
60 |
20 |
3 |
90 |
0.0093 |
160 |
190 |
975 |
175 |
TO-220AB |