Транзистор 2SK3646-01SJ
2SK3646-01SJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 41 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.044 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 280 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SK3646-01SJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3644-01 |
PTH |
N |
150 |
100 |
30 |
- |
41 |
0.044 |
- |
23 |
280 |
150 |
TO-220AB |
| 2SK3646-01L |
PTH |
N |
150 |
100 |
30 |
- |
41 |
0.044 |
- |
23 |
280 |
150 |
TO-262 |
| 2SK3646-01S |
SMD |
N |
150 |
100 |
30 |
- |
41 |
0.044 |
- |
23 |
280 |
150 |
TO-263 |