Транзистор 2SK3990-01SJ
2SK3990-01SJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 2SK3990-01SJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3988-01 |
PTH |
N |
60 |
600 |
30 |
- |
3 |
3.3 |
- |
5 |
50 |
150 |
TO-220AB |
| 2SK3990-01L |
PTH |
N |
60 |
600 |
30 |
- |
3 |
3.3 |
- |
5 |
50 |
150 |
TO-262 |
| 2SK3990-01S |
SMD |
N |
60 |
600 |
30 |
- |
3 |
3.3 |
- |
5 |
50 |
150 |
TO-263 |