Транзистор 3N163

3N163 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-72

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.375 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.05 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 250 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2.5 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 3N163 можно заменить на:

Нет элементов для замены