Транзистор 3N175

3N175 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-72

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.225 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 35 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.05 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 200 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5000 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 3N175 можно заменить на:

Нет элементов для замены