Транзистор 3N200

3N200 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-72

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.33 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 6 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.05 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 100 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 3N200 можно заменить на:

Нет элементов для замены