Транзистор 5HN01C

5HN01C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: CP
• SMD-код: YC

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 1.4 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6.2 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 5HN01C можно заменить на:

Нет элементов для замены