Транзистор 5LN02C

5LN02C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: CP
• SMD-код: YE

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.4 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 2.18 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 350 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 5LN02C можно заменить на:

Нет элементов для замены