Транзистор AF15N50

AF15N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PDFN5X6-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 15.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 14.85 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AF15N50 можно заменить на:

Нет элементов для замены