Транзистор AFN1012E
AFN1012E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-523
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.27 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.36 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1.06 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AFN1012E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN2306AE |
SMD |
N |
1.25 |
20 |
12 |
0.8 |
1.8 |
0.28 |
1.06 |
20 |
20 |
150 |
SOT-23 |
| AM5352 |
SMD |
N |
0.27 |
20 |
12 |
0.8 |
0.7 |
0.36 |
1.06 |
20 |
20 |
150 |
SC-89 |