Транзистор AFN4172WS
AFN4172WS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AFN4172WS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN4172S |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.012 |
10 |
10 |
200 |
150 |
SOP-8P |
| AFN7472S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.0086 |
10 |
10 |
190 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |