Транзистор AFN501DEA

AFN501DEA - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.03 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 700 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 1.8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 9.1 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AFN501DEA можно заменить на:

Нет элементов для замены