Транзистор AM10P10-530I

AM10P10-530I - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.53 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 9 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 49 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 88 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор AM10P10-530I можно заменить на:

Нет элементов для замены