Транзистор AM110P08-11B

AM110P08-11B - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0112 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 168 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 73 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 966 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор AM110P08-11B можно заменить на:

Нет элементов для замены