Транзистор AM20N10-250DE
AM20N10-250DE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AM20N10-250DE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM20N10-130D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
1 |
17 |
0.13 |
4 |
3 |
- |
175 |
TO-252 |
| AM20N20-125D |
SMD |
N |
50 |
200 |
20 |
1 |
15 |
0.26 |
8 |
3 |
- |
175 |
TO-252 |
| AM30N10-78D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
1 |
21 |
0.078 |
9 |
2 |
- |
175 |
TO-252 |