Транзистор AM20N15-250B

AM20N15-250B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 59 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AM20N15-250B можно заменить на:

Нет элементов для замены