Транзистор AM30N03-59D
AM30N03-59D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.059 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AM30N03-59D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40N04-30D |
SMD |
N |
50 |
40 |
20 |
1 |
33 |
0.032 |
3 |
4 |
40 |
175 |
TO-252 |
| AM50N03-12I |
PTH |
N |
50 |
30 |
20 |
1 |
51 |
0.013 |
4 |
5 |
- |
175 |
TO-251 |