Транзистор AM30N10-70DE
AM30N10-70DE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.078 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AM30N10-70DE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM30N10-70D |
SMD |
N |
100 |
100 |
20 |
1 |
26 |
0.078 |
21 |
13.6 |
115 |
175 |
TO-252 |
| AM30N10-78D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
1 |
21 |
0.078 |
9 |
2 |
- |
175 |
TO-252 |
| AM60N10-70P |
PTH |
N |
300 |
100 |
20 |
1 |
51 |
0.078 |
13 |
9 |
83 |
175 |
TO-220AB |