Транзистор AM60N02-10D
AM60N02-10D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 58 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 309 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AM60N02-10D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM60N02-09D |
SMD |
N |
50 |
20 |
8 |
0.4 |
61 |
0.009 |
24 |
16 |
164 |
175 |
TO-252 |