Транзистор AM9N65P

AM9N65P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.7 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 13.8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 123 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор AM9N65P можно заменить на:

Нет элементов для замены