Справочник электронных компонентов

Транзистор AOB12N60FD

AOB12N60FD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 278 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.65 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 166 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AOB12N60FD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB25S65	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOB25S65L	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOB27S60	SMD	N	357	600	30	4	27	0.16	-	33	80	150	TO-263
AOB27S60L	SMD	N	357	600	30	4	27	0.16	-	33	80	150	TO-263
AOK27S60L	PTH	N	357	600	30	4	27	0.16	-	33	80	150	TO-247
AOT12N60FD	PTH	N	278	600	30	4	12	0.65	41	90	166	150	TO-220
AOT25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOT25S65L	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOT27S60L	PTH	N	357	600	30	4	27	0.16	-	33	80	150	TO-220
AOW25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-262
TMAN20N60	PTH	N	347	600	30	4	20	0.33	76	63	146	150	TO-3PN