Транзистор AOB29S50
AOB29S50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 357 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 29 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 88 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AOB29S50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOK29S50 |
PTH |
N |
357 |
500 |
30 |
3.9 |
29 |
0.15 |
- |
39 |
88 |
150 |
TO-247 |
| AOT29S50 |
PTH |
N |
357 |
500 |
30 |
- |
29 |
0.15 |
- |
39 |
88 |
150 |
TO-220 |
| AOW29S50 |
PTH |
N |
357 |
500 |
30 |
3.9 |
29 |
0.15 |
- |
39 |
88 |
150 |
TO-262 |