Справочник электронных компонентов

Транзистор AON6452

AON6452 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DFN5X6

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 165 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AON6452 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB414	SMD	N	150	100	25	4	51	0.025	-	4	165	175	TO-263
AOD4126	SMD	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-252
AOI4126	PTH	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-251A
AOT414	PTH	N	115	100	25	4	43	0.025	-	4	165	175	TO-220
AOTF4126	PTH	N	42	100	25	4	27	0.024	-	4	165	175	TO-220FL