Транзистор AONS66916

AONS66916 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 215 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0036 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1240 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AONS66916 можно заменить на:

Нет элементов для замены