Транзистор AOSP21307
AOSP21307 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0115 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AOSP21307 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AONR21307 |
SMD |
P |
28 |
30 |
25 |
2.3 |
24 |
0.011 |
- |
13.3 |
300 |
- |
DFN3X3 |