Транзистор AOTF8T50P

AOTF8T50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 38 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.81 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 42 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AOTF8T50P можно заменить на:

Нет элементов для замены