Транзистор AP01L60AT
AP01L60AT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 12 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30.7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP01L60AT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP01L60T |
PTH |
N |
0.83 |
600 |
30 |
4 |
0.16 |
12 |
- |
5 |
20 |
150 |
TO-92 |
| AP01L60T-HF |
PTH |
N |
0.83 |
600 |
30 |
4 |
0.16 |
12 |
- |
5 |
20 |
150 |
TO-92 |
| APA2N70K-HF |
SMD |
N |
2.7 |
600 |
30 |
- |
0.35 |
10 |
- |
3.6 |
25 |
150 |
SOT-223 |
| CS1N60_B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
- |
1.5 |
8 |
- |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65_B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
- |
1.5 |
9.5 |
- |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
4 |
0.9 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| STS1HNK60 |
SMD |
N |
2 |
600 |
30 |
3.7 |
0.3 |
8.5 |
7 |
5 |
23.5 |
150 |
SO-8 |