Транзистор AP02N60J-H
AP02N60J-H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 27 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP02N60J-H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP02N60H-H |
SMD |
N |
39 |
700 |
30 |
- |
1.4 |
8.8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-252 |
| AP02N60H-H-HF |
SMD |
N |
39 |
700 |
30 |
4 |
1.4 |
8.8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-252 |
| AP02N60J-H-HF |
PTH |
N |
39 |
700 |
30 |
4 |
1.4 |
8.8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-251 |
| STD2N105K5 |
SMD |
N |
60 |
1050 |
30 |
5 |
1.5 |
8 |
10 |
8.5 |
15 |
150 |
DPAK |
| STD2N80K5 |
SMD |
N |
45 |
800 |
30 |
5 |
2 |
4.5 |
9.5 |
12 |
8 |
150 |
DPAK |
| STD3N80K5 |
SMD |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
DPAK |
| STP2N105K5 |
PTH |
N |
60 |
1050 |
30 |
5 |
1.5 |
8 |
10 |
8.5 |
15 |
150 |
TO-220 |
| STP2N80K5 |
PTH |
N |
45 |
800 |
30 |
5 |
2 |
4.5 |
9.5 |
12 |
8 |
150 |
TO-220 |
| STP3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
TO-220 |
| STP5N105K5 |
PTH |
N |
85 |
1050 |
30 |
5 |
3 |
3.5 |
12.5 |
8.5 |
16 |
150 |
TO-220 |
| STU2N105K5 |
PTH |
N |
60 |
1050 |
30 |
5 |
1.5 |
8 |
10 |
8.5 |
15 |
150 |
IPAK |
| STU2N80K5 |
PTH |
N |
45 |
800 |
30 |
5 |
2 |
4.5 |
9.5 |
12 |
8 |
150 |
IPAK |
| STU3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
IPAK |