Транзистор AP1005BSQ
AP1005BSQ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: GreenFET
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0038 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 570 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP1005BSQ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RS1E240GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
24 |
0.0033 |
23 |
7.8 |
375 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E280GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
28 |
0.0026 |
36 |
12.3 |
550 |
150 |
HSOP8 |
| SIR788DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
28.6 |
0.0034 |
50 |
15 |
555 |
150 |
SO-8 |