Справочник электронных компонентов

Транзистор AP10N012P

AP10N012P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 48 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0125 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 710 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10N012P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP10N012H	SMD	N	52	100	20	5	48	0.0125	-	85	710	150	TO-252
AP80T10AGP-HF	PTH	N	166	100	20	5	75	0.0125	-	50	540	175	TO-220
AP92LT10GP-HF	PTH	N	138	100	20	5	97	0.0065	145	85	400	150	TO-220
IRFB4115GPBF	PTH	N	380	150	20	5	104	0.011	77	73	490	175	TO-220AB
IRFB4115PBF	PTH	N	380	150	20	5	104	0.011	77	73	490	175	TO-220AB
IRFS4115-7PPBF	SMD	N	380	150	20	5	105	0.0118	73	50	490	175	TO-263-CA7
IRFS4115PBF	SMD	N	375	150	20	5	195	0.0121	77	73	490	175	TO-263
IRFSL4115PBF	PTH	N	375	150	20	5	99	0.0121	77	73	490	175	TO-262