Транзистор AP10N4R5S

AP10N4R5S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 138.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1175 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10N4R5S можно заменить на:

Нет элементов для замены