Транзистор AP10N60W

AP10N60W - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 475 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP10N60W можно заменить на:

Нет элементов для замены